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BD48L60G-TR	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	Marking：Kb；Package：SSOP3；Standard CMOS Voltage Detector IC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD48L60G-TR	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	Marking：Kb；Package：SSOP3；Standard CMOS Voltage Detector IC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD48L60G-TR	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	Marking：Kb；Package：SSOP3；High accuracy detection, Ultra-low current consumption Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BD48L60G-TR	文件：507.55 Kbytes Page：18 Pages	Marking：Kb；Package：SSOP3；Standard CMOS Voltage Detector IC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BSH205G2	文件：743.25 Kbytes Page：16 Pages	Marking：KB；Package：TO-236AB；20 V, P-channel Trench MOSFET Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Lowon-stateresistance •TrenchMOSFETtechnology •Enhanced	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSS192	文件：372.5 Kbytes Page：16 Pages	Marking：KB；Package：SOT89；240 V, P-channel vertical D-MOS transistor 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeverticalDouble-DiffusedField-EffectTransistor(DMOSFET) inaSOT89(SC-62)mediumpowerandflatleadSurfaceMountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •DirectinterfacetoComplementary(C-MOS)transitorandTransisto	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BZX84C6V8CC	文件：60.76 Kbytes Page：5 Pages	Marking：KB；Package：SOT-23；350mW SURFACE MOUNT DUAL ZENER DIODE DualZenerDiodesinCommonCathode 350mWPowerDissipation 2.4V–75VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance DesignedforSurfaceMountApplication PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
KDZ4.7B	文件：116.27 Kbytes Page：5 Pages	Marking：KB；Package：PMDU；Zener diode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
KDZ4.7B	文件：115.56 Kbytes Page：5 Pages	Marking：KB；Package：PMDU；Zener diode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
KDZ4.7B	文件：116.67 Kbytes Page：5 Pages	Marking：KB；Package：PMDU；Zener diode Features Smallpowermoldtype.(PMDU) HighESDtolerance Applications Voltageregulation Construction Siliconepitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
KB
制造商：
Lumberg
功能描述：
Conn Shrouded Header HDR 2 POS 5mm Solder ST Thru-Hole Box

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳瞄钧科技有限公司	KD	SAMSUNG	24+	BGA	20000	低价现货抛售(美国香港新加坡)	询价
深圳市博中泰实业有限公司	KI	NA	24+	NA	60000		询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	KP	COSMO	SMD	22+	6000	十年配单,只做原装	询价

更多KB供应商更新时间2025-6-21 10:13:00

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