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MBR10100	文件：189.42 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:10A Features ✧Highsurgecapacity. ✧Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free wheeling,andpolarityprotectionapplications. ✧Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ✧Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ✧Gua	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR10100	文件：135.15 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •LowForwardVoltage •150℃OperatingJunctionTemperature •GuaranteedReverseAvalanche •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •LowStoredChargeMajorityCarrierConduction	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR10100	文件：137.6 Kbytes Page：2 Pages	Voltage100V10.0AmpSchottkyBarrierRectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MBR10100	文件：381.89 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to200Volts ForwardCurrent-10.0Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
MBR10100	文件：112.91 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR10100	文件：324.14 Kbytes Page：2 Pages	10.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR10100	文件：135.95 Kbytes Page：2 Pages	HighTemperatureSchottkyRectifierDiodes •Nominalcurrent10A •Repetitivepeakreversevoltage100V •PlasticcaseTO-220AC •Weightapprox.1.8g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingintubes	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MBR10100	文件：149.67 Kbytes Page：6 Pages	High-VoltageSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR10100	文件：104.99 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierRectifier 10AHighBarrierPowerSchottkyRectifiers-40V-200V Features •150°Coperatingjunctiontemperature. •Lowpowerloss,highefficiency. •Highcurrentcapability •Highsurgecapability. •Guardringforovervoltageprotection. •Lowstoredchargemajoritycarrierconduction •Siliconepi	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
MBR10100	文件：1.96709 Mbytes Page：4 Pages	TrenchMOSSchottkytechnology Features •LowPowerLoss •HighEfficiency •LowForwardVoltage,HighCurrentCapability •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0 •Marking:typenumber	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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