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K9F5608Q0C-D	文件：684.11 Kbytes Page：42 Pages	32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory GENERAL DESCRIPTION Offered in 32Mx8bit or 16Mx16bit, the K9F56XXX0C is 256M bit with spare 8M bit capacity. The device is offered in 1.8V or 3.3V Vcc. Its NAND cell provides the most cost-effective solutIon for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typica 文件：684.11 Kbytes 页数：42 Pages	Samsung 三星	Samsung
K9F5608Q0C-D	文件：655.94 Kbytes Page：39 Pages	512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata GENERAL DESCRIPTION Offered in 32Mx8bit or 16Mx16bit, the K9F56XXX0C is 256M bit with spare 8M bit capacity. The device is offered in 1.8V or 3.3V Vcc. Its NAND cell provides the most cost-effective solutIon for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typica 文件：655.94 Kbytes 页数：39 Pages	Samsung 三星	Samsung
K9F5608Q0C-D	文件：680.69 Kbytes Page：41 Pages	32M x 8 Bit 16M x 16 Bit NAND Flash Memory 文件：680.69 Kbytes 页数：41 Pages	Samsung 三星	Samsung
K9F5608Q0C-DCB0	文件：655.94 Kbytes Page：39 Pages	512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata GENERAL DESCRIPTION Offered in 32Mx8bit or 16Mx16bit, the K9F56XXX0C is 256M bit with spare 8M bit capacity. The device is offered in 1.8V or 3.3V Vcc. Its NAND cell provides the most cost-effective solutIon for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typica 文件：655.94 Kbytes 页数：39 Pages	Samsung 三星	Samsung
K9F5608Q0C-DIB0	文件：655.94 Kbytes Page：39 Pages	512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata GENERAL DESCRIPTION Offered in 32Mx8bit or 16Mx16bit, the K9F56XXX0C is 256M bit with spare 8M bit capacity. The device is offered in 1.8V or 3.3V Vcc. Its NAND cell provides the most cost-effective solutIon for the solid state mass storage market. A program operation can be performed in typica 文件：655.94 Kbytes 页数：39 Pages	Samsung 三星	Samsung

详细参数

型号：
K9F5608Q0C-D
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory

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更多K9F5608Q0C-D供应商更新时间2025-10-5 22:58:00

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