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K8A60DA

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Switching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 0.8 Ω(typ.) • High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪= 4.0 S (typ.) • Low leakage current: IDSS= 10 μA (max) (VDS= 600 V) • Enhancement-mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

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TOSHIBA

东芝

P8A60

Insulated Triac

文件:459.09 Kbytes 页数:4 Pages

DYELEC

迪一电子

SF8A60

Super Fast Recovery Rectifiers

文件:92.29 Kbytes 页数:6 Pages

FORMOSA

美丽微半导体

SF8A60F

Super Fast Recovery Rectifiers

文件:92.53 Kbytes 页数:6 Pages

FORMOSA

美丽微半导体

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更多K8A60DA供应商 更新时间2025-12-7 14:08:00