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K7R161884B	文件：418.88 Kbytes Page：18 Pages	512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM GENERAL DESCRIPTION The K7R163684B and K7R161884B are 18,874,368-bits QDR (Quad Data Rate) Synchronous Pipelined Burst SRAMs. They are organized as 524,288 words by 36bits for K7R163684B and 1,048,576 words by 18 bits for K7R161884B. FEATURES • 1.8V+0.1V/-0.1V Power Supply. • DLL circuitry fo 文件：418.88 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K7R161884B	文件：456.93 Kbytes Page：19 Pages	512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM 文件：456.93 Kbytes 页数：19 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K7R161884B-FC16	文件：418.88 Kbytes Page：18 Pages	512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM GENERAL DESCRIPTION The K7R163684B and K7R161884B are 18,874,368-bits QDR (Quad Data Rate) Synchronous Pipelined Burst SRAMs. They are organized as 524,288 words by 36bits for K7R163684B and 1,048,576 words by 18 bits for K7R161884B. FEATURES • 1.8V+0.1V/-0.1V Power Supply. • DLL circuitry fo 文件：418.88 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K7R161884B-FC20	文件：418.88 Kbytes Page：18 Pages	512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM GENERAL DESCRIPTION The K7R163684B and K7R161884B are 18,874,368-bits QDR (Quad Data Rate) Synchronous Pipelined Burst SRAMs. They are organized as 524,288 words by 36bits for K7R163684B and 1,048,576 words by 18 bits for K7R161884B. FEATURES • 1.8V+0.1V/-0.1V Power Supply. • DLL circuitry fo 文件：418.88 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K7R161884B-FC25	文件：418.88 Kbytes Page：18 Pages	512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM GENERAL DESCRIPTION The K7R163684B and K7R161884B are 18,874,368-bits QDR (Quad Data Rate) Synchronous Pipelined Burst SRAMs. They are organized as 524,288 words by 36bits for K7R163684B and 1,048,576 words by 18 bits for K7R161884B. FEATURES • 1.8V+0.1V/-0.1V Power Supply. • DLL circuitry fo 文件：418.88 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K7R161884B-FC30	文件：418.88 Kbytes Page：18 Pages	512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM GENERAL DESCRIPTION The K7R163684B and K7R161884B are 18,874,368-bits QDR (Quad Data Rate) Synchronous Pipelined Burst SRAMs. They are organized as 524,288 words by 36bits for K7R163684B and 1,048,576 words by 18 bits for K7R161884B. FEATURES • 1.8V+0.1V/-0.1V Power Supply. • DLL circuitry fo 文件：418.88 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K7R161884B	文件：300 bytes Page：1 Pages	512Kx36 & 1Mx18 QDR II b4 SRAM	Samsung 三星	Samsung

详细参数

型号：
K7R161884B
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512Kx36 & 1Mx18 QDRTM II b4 SRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	K7R161884B-FC16	SAMSUNG		BGA-165	3364	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
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