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K7I161884B	文件：422.54 Kbytes Page：18 Pages	512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b4 SRAM FEATURES • 1.8V+0.1V/-0.1V Power Supply. • DLL circuitry for wide output data valid window and future frequency scaling. • I/O Supply Voltage 1.5V+0.1V/-0.1V for 1.5V I/O, 1.8V+0.1V/-0.1V for 1.8V I/O. • Pipelined, double-data rate operation. • Common data input/output bus. • HSTL I/O • Ful 文件：422.54 Kbytes 页数：18 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
K7I161884B	文件：300 bytes Page：1 Pages	512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b4 SRAM	Samsung 三星	Samsung
K7I163682B-FC25	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	SAMSUNG/三星上传：深圳庞田科技有限公司	SAMSUNG/三星
K7I641882M-F30	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	INTEL/英特尔上传：深圳市昂芯微科技有限公司	INTEL/英特尔
K7R161882B-FC20	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	SAMSUNG/三星上传：深圳庞田科技有限公司	SAMSUNG/三星

详细参数

型号：
K7I161884B
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b4 SRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市壹芯创科技有限公司	K7I161884B-FC25	SAMSUNG	22+	BGA	5000	全新原装现货!自家库存!	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	K7I161884B-FC25	SAMSUNG/三星	2447	BGA	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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