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K6R1008V1D-TC08/10	文件：192.18 Kbytes Page：9 Pages	64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges. GENERALDESCRIPTION TheK6R1004V1Disa1,048,576-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby4bits.TheK6R1004V1Duses4commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Thedeviceisfabricate	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K6R1008V1D-TC08/10

文件：192.18 Kbytes

Page：9 Pages

64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

GENERALDESCRIPTION TheK6R1004V1Disa1,048,576-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas262,144wordsby4bits.TheK6R1004V1Duses4commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Thedeviceisfabricate

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K6R1008V1D-TC08/10
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

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更多K6R1008V1D-TC08/10供应商更新时间2025-5-8 11:04:00

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