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K6R1008V1B-B-L	文件：184.69 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1B	文件：184.69 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHighSpeedStaticRAM(3.3VOperating),RevolutionaryPinout.OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1B-B-P	文件：184.69 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHighSpeedStaticRAM(3.3VOperating),RevolutionaryPinout.OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1B-C-L	文件：184.69 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHighSpeedStaticRAM(3.3VOperating),RevolutionaryPinout.OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1B-I-P	文件：184.69 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHighSpeedStaticRAM(3.3VOperating),RevolutionaryPinout.OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1C	文件：140.97 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHigh-SpeedCMOSStaticRAM(3.3VOperating).	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1C-C	文件：140.97 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHigh-SpeedCMOSStaticRAM(3.3VOperating).	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1C-I	文件：140.97 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHigh-SpeedCMOSStaticRAM(3.3VOperating).	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1C-J	文件：140.97 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHigh-SpeedCMOSStaticRAM(3.3VOperating).	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1C-L	文件：140.97 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHigh-SpeedCMOSStaticRAM(3.3VOperating).	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1C-P	文件：140.97 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHigh-SpeedCMOSStaticRAM(3.3VOperating).	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1C-T	文件：140.97 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8BitHigh-SpeedCMOSStaticRAM(3.3VOperating).	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K6R1008V1D	文件：102.68 Kbytes Page：9 Pages	64Kx16BitHigh-SpeedCMOSStaticRAM(3.3VOperating)OperatedatCommercialandIndustrialTemperatureRanges. GENERALDESCRIPTION TheK6R1008V1Disa1,048,576-bithigh-speedStaticRandomAccessMemoryorganizedas131,072wordsby8bits.TheK6R1008V1Duses8commoninputandoutputlinesandhasanoutputenablepinwhichoperatesfasterthanaddressaccesstimeatreadcycle.Thedeviceisfabricate	SamsungSamsung Group 三星三星半导体

详细参数

型号：
K6R1008V1B-B-L
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
128Kx8 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市壹芯创科技有限公司	K6R1008V1B-JC	SAMSUNG	22+	SOJ32	5000	全新原装现货!自家库存!	询价
深圳市近平电子有限公司	K6R1008V1B-JC		6000	面议	19	DIP/SMD	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	K6R1008V1B-JC10	SAMSUNG	2023+	SOJ	50000	原装现货	询价
鑫勃源（上海北京青岛）有限公司	K6R1008V1B-JC12	SAMSUNG	23+	标准封装	18000		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	K6R1008V1C-JC10	SAMSUNG	23+	SOJ	35890		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	K6R1008V1C-JC10	SAMSUNG	2017+	SOJ-32	23589	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	K6R1008V1C-JC10	SAMSUNG	00+	SOJ	1990		询价

更多K6R1008V1B-B-L供应商更新时间2024-4-27 16:10:00

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