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K5L5628JTM	文件：1.56754 Mbytes Page：98 Pages	256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM GENERAL DESCRIPTION The K5L5628JT(B)M is a Multi Chip Package Memory which combines 256Mbit Synchronous Burst Multi Bank NOR Flash Memory and 128Mbit Synchronous Burst UtRAM. 256Mbit Synchronous Burst Multi Bank NOR Flash Memory is organized as 16M x16 bits and 128Mbit Synchronous Burst UtRAM is 文件：1.56754 Mbytes 页数：98 Pages	Samsung 三星	Samsung
K5L5628JTM-DH18	文件：1.56754 Mbytes Page：98 Pages	256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM GENERAL DESCRIPTION The K5L5628JT(B)M is a Multi Chip Package Memory which combines 256Mbit Synchronous Burst Multi Bank NOR Flash Memory and 128Mbit Synchronous Burst UtRAM. 256Mbit Synchronous Burst Multi Bank NOR Flash Memory is organized as 16M x16 bits and 128Mbit Synchronous Burst UtRAM is 文件：1.56754 Mbytes 页数：98 Pages	Samsung 三星	Samsung
K5L5628JBM	文件：1.56754 Mbytes Page：98 Pages	256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM GENERAL DESCRIPTION The K5L5628JT(B)M is a Multi Chip Package Memory which combines 256Mbit Synchronous Burst Multi Bank NOR Flash Memory and 128Mbit Synchronous Burst UtRAM. 256Mbit Synchronous Burst Multi Bank NOR Flash Memory is organized as 16M x16 bits and 128Mbit Synchronous Burst UtRAM is 文件：1.56754 Mbytes 页数：98 Pages	Samsung 三星	Samsung
K5W4G2GACM-BP50000	文件：0 bytes Page：0 Pages	SAMSUNG/三星 BGA	SAMSUNG/三星上传：深圳庞田科技有限公司	SAMSUNG/三星

详细参数

型号：
K5L5628JTM
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
256M Bit(16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash/128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM

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上海鑫科润电子科技有限公司	K5L5628JTM-DH18	SAMSUNG	0434+	BGA	219	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
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