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K4X56163PI-LFE/GC3	文件：523.25 Kbytes Page：20 Pages	16Mx16 Mobile DDR SDRAM FEATURES •VDD/VDDQ=1.8V/1.8V •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •MRScyclewithaddresskeyprograms -CASLatency(2,3) -BurstLength(2,4,8,16	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4X56163PI-LFE/GC3

文件：523.25 Kbytes

Page：20 Pages

16Mx16 Mobile DDR SDRAM

FEATURES •VDD/VDDQ=1.8V/1.8V •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •MRScyclewithaddresskeyprograms -CASLatency(2,3) -BurstLength(2,4,8,16

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4X56163PI-LFE/GC3
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
16Mx16 Mobile DDR SDRAM

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更多K4X56163PI-LFE/GC3供应商更新时间2025-5-24 15:23:00

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