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K4T51163QG-HCE6000

SAMSUNG
原厂封装

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

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Samsung

K4T51163QG-HCE6000

SAM
NA

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

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Samsung

K4T51163QG-HCE6000

SAM
NA

SAMES

SAMES

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SAMES

K4T51163QG-HCE6000

SAM
NA

Samhop

三合微科

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Samhop

K4T51163QG-HCE6000

SAM
NA

Samsung Electronics

三星电机

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Samsung Electronics

详细参数

  • 型号:

    K4T51163QG-HCE6000

  • 制造商:

    Samsung SDI

  • 功能描述:

    DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SAMSUNG/三星
15+
4095
全新进口原装
询价
SAMSUNG
1923+
原厂封装
9500
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
询价
SAM
22+
NA
30000
100%全新原装 假一赔十
询价
-
23+
BGA
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
询价
SAMSUNG/三星
23+
BGA
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
SAMSUNG/三星
23+
BGA
20000
原装正品 欢迎咨询
询价
SAMSUNG/三星
2122+
FBGA
23800
全新原装正品现货,优势渠道可含税,假一赔十
询价
SAMSUNG/三星
12+
BGA
1000
进口原装现货假一赔万力挺实单
询价
SAMSUNG/三星
21+
BGA
20000
只做正品原装现货
询价
SAMSUNG
09+
BGA
1532
原包原盒现货可订货价格优势
询价
更多K4T51163QG-HCE6000供应商 更新时间2024-4-27 13:52:00