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K4T51163QB-ZCD5

512Mb B-die DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM The 512Mb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 4banks, 16Mbit x 8 I/Os x 4 banks or 8Mbit x 16 I/Os x 4 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 533Mb/sec/pin (DDR2-533) for general applications. The chip

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Samsung

三星

K4T51163QG-HCE6

SAMSUNG
FBGA84

K4T51163QG-HCE7

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FBGA84

K4T51163QJ-BCE6

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FBGA

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三星

上传:深圳硅原半导体有限公司

K4T51163QJ-BCE7

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FBGA84

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三星

上传:深圳硅原半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    K4T51163QB-ZCD5

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    512Mb B-die DDR2 SDRAM

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更多K4T51163QB-ZCD5供应商 更新时间2025-10-4 13:57:00