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K4T1G164QE-HCLF7	文件：1.0829 Mbytes Page：46 Pages	1Gb E-die DDR2 SDRAM The 1Gb DDR2 SDRAM is organized asa 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications. Key Features • JEDEC standard VDD= 1 文件：1.0829 Mbytes 页数：46 Pages	Samsung 三星	Samsung
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详细参数

型号：
K4T1G164QE-HCLF7
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
1Gb E-die DDR2 SDRAM

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