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K4T1G084QQ-HCLF7

1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification

The 1Gb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications. Key Features • JEDEC standard

文件:886.4 Kbytes 页数:44 Pages

Samsung

三星

K4T1G163QJ-BI

FBGA-84

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4T1G164QF-BCE7

FBGA84

K4T1G164QF-BCE7

FBGA-84

K4T1G164QF-BCE7其他被动元件

BGA

SAMSUNG/三星

详细参数

  • 型号:

    K4T1G084QQ-HCLF7

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SAMSUNG/三星
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FBGA-60
100500
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SAMSUNG/三星
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SAMSUNG/三星
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SAMSUNG/三星
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BGA
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原装现货假一罚十
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SAMSUNG
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BGA
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只做原装现货
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SAMSUNG/三星
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BGA
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只做原装 公司现货库存
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SAMSUNG/三星
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BGA
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更多K4T1G084QQ-HCLF7供应商 更新时间2025-12-10 15:01:00