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K4T1G084QE-HCLF7

1Gb E-die DDR2 SDRAM

The 1Gb DDR2 SDRAM is organized asa 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications. Key Features • JEDEC standard VDD= 1

文件:1.0829 Mbytes 页数:46 Pages

Samsung

三星

K4T1G084QF-BCE7

BGA60

K4T1G084QF-BCF7

FBGA60

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

K4T1G084QF-BCF7

三星

K4T1G084QF-BCF8

BGA

详细参数

  • 型号:

    K4T1G084QE-HCLF7

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    1Gb E-die DDR2 SDRAM

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更多K4T1G084QE-HCLF7供应商 更新时间2025-11-30 11:10:00