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K4S643232C	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232C-TC/L10	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4S643232C-TC10	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4S643232C-TC60	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232C-TC70	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232C-TC80	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232C-TL10	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232C-TL55	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232C-TL60	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232C-TL70	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232C-TL80	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
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K4S643232E	文件：101.31 Kbytes Page：12 Pages	2Mx32SDRAM512Kx32bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL(3.3V)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232E-	文件：101.31 Kbytes Page：12 Pages	2Mx32SDRAM512Kx32bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL(3.3V)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体
K4S643232E-TI	文件：100.16 Kbytes Page：12 Pages	2Mx32SDRAM512Kx32bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL	SamsungSamsung Group 三星三星半导体

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详细参数

型号：
K4S643232C
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K4S643232C供应商更新时间2024-4-26 17:25:00

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