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K4S643232C-TCSLASHL10	文件：1.1559 Mbytes Page：43 Pages	2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4S643232C-TCSLASHL10

文件：1.1559 Mbytes

Page：43 Pages

2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

GENERALDESCRIPTION TheK4S643232Cis67,108,864bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x524,288wordsby32bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclock.I/Otransactionsarepo

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三星三星半导体

Samsung

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更多K4S643232C-TCSLASHL10供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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