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K4S56163PF-RG/F1L	文件：114.91 Kbytes Page：12 Pages	4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA GENERALDESCRIPTION TheK4S56163PFis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,196,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNG’shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockandI/Otransactions	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4S56163PF-RG/F1L

文件：114.91 Kbytes

Page：12 Pages

4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

GENERALDESCRIPTION TheK4S56163PFis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x4,196,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNG’shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockandI/Otransactions

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4S56163PF-RG/F1L
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
4M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA

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更多K4S56163PF-RG/F1L供应商更新时间2025-5-22 10:07:00

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