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K4S560832D-TCSLASHL7C	文件：118.68 Kbytes Page：11 Pages	256Mbit SDRAM 8M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERAL DESCRIPTION The K4S560832D is 268,435,456 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 8,392,608 words by 8bits, fabricated with SAMSUNGs high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are pos 文件：118.68 Kbytes 页数：11 Pages	Samsung 三星	Samsung
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更多K4S560832D-TCSLASHL7C供应商更新时间2025-9-26 17:21:00