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K4S560432E-TC	文件：198.75 Kbytes Page：14 Pages	256Mb E-die SDRAM Specification GENERALDESCRIPTION TheK4S560432E/K4S560832E/K4S561632Eis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x16,777,216wordsby4bits/4x8,388,608wordsby8bits/4x4,194,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.Synchronou	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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K4S560432B	文件：130.41 Kbytes Page：11 Pages	256MbitSDRAM16Mx4bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S560432Bis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x16,785,216wordsby4bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarep	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4S560432D	文件：121.66 Kbytes Page：11 Pages	16Mx4bitx4BanksSynchronousDRAMLVTTL	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4S560432E-NC	文件：207.41 Kbytes Page：13 Pages	256MbE-dieSDRAMSpecification54pinsTSOP-II GENERALDESCRIPTION TheK4S560432E/K4S560832Eis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x16,777,216wordsby4bits/4x8,388,608wordsby8bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.Synchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4S560432E-UC	文件：198.76 Kbytes Page：14 Pages	256MbE-dieSDRAMSpecification54TSOP-IIwithPb-Free(RoHScompliant)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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K4S560432J	文件：297.93 Kbytes Page：15 Pages	256MbJ-dieSDRAMSpecification GeneralDescription TheK4S560432J/K4S560832J/K4S561632Jis268,435,456bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas4x16,777,216wordsby4bits/4x8,388,608wordsby8bits/4x4,194,304wordsby16bits,fabricatedwithSAMSUNGshighperformanceCMOStechnology.Synchronou	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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详细参数

型号：
K4S560432E-TC
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
256Mb E-die SDRAM Specification

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