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K4S160822DT-GSLASHF8	文件：1.18305 Mbytes Page：46 Pages	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERAL DESCRIPTION The K4S160822D is 16,777,216 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 2 x 1,048,576 words by 8 bits, fabricated with SAMSUNG¢s high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are po 文件：1.18305 Mbytes 页数：46 Pages	Samsung 三星	Samsung
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