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K4S160822DT-G/F10	文件：1.18305 Mbytes Page：46 Pages	2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL GENERALDESCRIPTION TheK4S160822Dis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x1,048,576wordsby8bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepo	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4S160822DT-G/F10

文件：1.18305 Mbytes

Page：46 Pages

2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL

GENERALDESCRIPTION TheK4S160822Dis16,777,216bitssynchronoushighdatarateDynamicRAMorganizedas2x1,048,576wordsby8bits,fabricatedwithSAMSUNG¢shighperformanceCMOStechnology.SynchronousdesignallowsprecisecyclecontrolwiththeuseofsystemclockI/Otransactionsarepo

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4S160822DT-G/F10
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
2Mx8 SDRAM 1M x 8bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL

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更多K4S160822DT-G/F10供应商更新时间2025-5-14 16:25:00

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