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K4H511638D-UC/LB0	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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K4H511638D-UC/LB0

文件：366.45 Kbytes

Page：24 Pages

512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif

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三星三星半导体

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文件：367.85 Kbytes

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512Mb D-die DDR SDRAM Specification

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三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4H511638D-UC/LB0
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free(RoHS compliant)

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