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K4H511638B-UCSLASHLA2

512Mb B-die DDR SDRAM Specification

Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Differential cl

文件:332.33 Kbytes 页数:24 Pages

Samsung

三星

K4H511638J-LCCC

SAMSUNG
BGA

K4H511638J-LCCC

SAMSUNG
TSSOP66

K4H511638J-LCCC

SAMSUNG/三星
TSOP

SAMSUNG/三星

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SAMSUNG/三星

K4H561638H-UCCC

SAMSUNG
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Samsung

三星

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SAMSUNG
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SAMSUNG/三星
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SAMSUNG/三星
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更多K4H511638B-UCSLASHLA2供应商 更新时间2025-10-6 9:34:00