K4H510838D-UCSLASHLA2资料datasheet下载库存现货-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
K4H510838D-UCSLASHLA2	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512Mb D-die DDR SDRAM Specification Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Dif 文件：367.85 Kbytes 页数：24 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510838D-UCSLASHLA2	文件：366.45 Kbytes Page：24 Pages	512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Dif 文件：366.45 Kbytes 页数：24 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4H510838D-ZCCC	文件：0 bytes Page：0 Pages	SAMSUNG/三星 BGA	SAMSUNG/三星上传：深圳庞田科技有限公司	SAMSUNG/三星
K4H510838J-BCCC000	文件：0 bytes Page：0 Pages	SAMSUNG/三星 BGA	SAMSUNG/三星上传：深圳庞田科技有限公司	SAMSUNG/三星
K4H511638J-LCCC	文件：0 bytes Page：0 Pages	SAMSUNG TSSOP66	Samsung 三星上传：深圳市恒达亿科技有限公司	Samsung

更多K4H510838D-UCSLASHLA2供应商更新时间2025-10-6 10:04:00