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K4H510438D-UCSLASHLB0	文件：367.85 Kbytes Page：24 Pages	512Mb D-die DDR SDRAM Specification KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4H510438D-UCSLASHLB0

文件：367.85 Kbytes

Page：24 Pages

512Mb D-die DDR SDRAM Specification

KeyFeatures •VDD:2.5V±0.2V,VDDQ:2.5V±0.2VforDDR266,333 •VDD:2.6V±0.1V,VDDQ:2.6V±0.1VforDDR400 •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe[DQS](x4,x8)&[L(U)DQS](x16) •Fourbanksoperation •Dif

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

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更多K4H510438D-UCSLASHLB0供应商更新时间2025-7-28 14:28:00

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