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K4H510438B-TCSLASHLA2	文件：332.33 Kbytes Page：24 Pages	512Mb B-die DDR SDRAM Specification Key Features • VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR266, 333 • VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400 • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16) • Four banks operation • Differential cl 文件：332.33 Kbytes 页数：24 Pages	Samsung 三星	Samsung
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更多K4H510438B-TCSLASHLA2供应商更新时间2025-10-6 17:04:00