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K4H280838D-TCB0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4H280838D-TCB0

文件：669.27 Kbytes

Page：53 Pages

128Mb DDR SDRAM

Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4H280838D-TCB0
制造商：
Samsung Semiconductor
功能描述：
DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 16Mx8 2.5V 66-Pin TSOP-II Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K4H280838D-TCB0供应商更新时间2025-5-23 15:34:00

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