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K4H1G0438M	文件：206.41 Kbytes Page：23 Pages	1Gb M-die DDR SDRAM Specification	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-TCA0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-TCA2	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-TCB0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-TLA0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-TLA2	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-TLB0	文件：669.27 Kbytes Page：53 Pages	128Mb DDR SDRAM Features •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •DLLalignsDQandDQStransitionwithCKtransition •MRScyclewithaddresskeyprograms -.Readlatency2,2.5(	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-LA2	文件：206.61 Kbytes Page：23 Pages	1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-LB0	文件：206.61 Kbytes Page：23 Pages	1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
K4H1G0438M-LB3	文件：206.61 Kbytes Page：23 Pages	1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
K4H1G0438M
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
1Gb M-die DDR SDRAM Specification

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多K4H1G0438M供应商更新时间2025-7-30 15:14:00

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