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K4G41325FE-HC22	文件：1.97233 Mbytes Page：120 Pages	4Gb GDDR5 SGRAM E-die 8M x 32Bit x 16 Banks Graphic Double Data Rate 5 Synchronous DRAM (170Ball FBGA) 1.FEATURES •1.5V+0.045Vpowersupplyfordeviceoperations(VDD) (Specificpartssupport1.35V+0.0405V) •1.5V+0.045VpowersupplyforI/Ointerface(VDDQ) (Specificpartssupport1.35V+0.0405V) •MaximumCK/CKupto2.25GHz •MaximumWCK/WCKupto4.5GHz •Maximumdatarateupto9	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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K4G41325FE-HC22

文件：1.97233 Mbytes

Page：120 Pages

4Gb GDDR5 SGRAM E-die 8M x 32Bit x 16 Banks Graphic Double Data Rate 5 Synchronous DRAM (170Ball FBGA)

1.FEATURES •1.5V+0.045Vpowersupplyfordeviceoperations(VDD) (Specificpartssupport1.35V+0.0405V) •1.5V+0.045VpowersupplyforI/Ointerface(VDDQ) (Specificpartssupport1.35V+0.0405V) •MaximumCK/CKupto2.25GHz •MaximumWCK/WCKupto4.5GHz •Maximumdatarateupto9

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更多K4G41325FE-HC22供应商更新时间2025-5-25 16:20:00

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