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K4E640812E-TCSLASHL	文件：190.72 Kbytes Page：21 Pages	8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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K4E640812C	文件：416.25 Kbytes Page：21 Pages	8Mx8bitCMOSDynamicRAMwithExtendedDataOut DESCRIPTION Thisisafamilyof8,388,608x8bitExtendedDataOutModeCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow.Refreshcycle(4KRef.or8KRef.),accesstime(-45,-50or-60),powerconsumption(NormalorLowpower)areoptionalfe	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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