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K4B4G1646E-BYMA

4Gb E-die DDR3L SDRAM

文件:1.98169 Mbytes 页数:71 Pages

Samsung

三星

K4B4G1646Q

4Gb Q-die DDR3L SDRAM Olny x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) 1.35V

文件:522.69 Kbytes 页数:65 Pages

Samsung

三星

K4B4G1646Q-HYF8

4Gb Q-die DDR3L SDRAM Olny x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) 1.35V

文件:522.69 Kbytes 页数:65 Pages

Samsung

三星

K4B4G1646Q-HYH9

4Gb Q-die DDR3L SDRAM Olny x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) 1.35V

文件:522.69 Kbytes 页数:65 Pages

Samsung

三星

K4B4G1646Q-HYK0

4Gb Q-die DDR3L SDRAM Olny x16 96FBGA with Lead-Free & Halogen-Free (RoHS compliant) 1.35V

文件:522.69 Kbytes 页数:65 Pages

Samsung

三星

K4B4G1646D-BCH9

DDR3

• High Speed and Performance\n• Low Power, Efficient DRAM Solution;

Samsung

三星

K4B4G1646D-BCK0

DDR3

• High Speed and Performance\n• Low Power, Efficient DRAM Solution;

Samsung

三星

K4B4G1646D

4Gb D-die DDR3 SDRAM

Samsung

三星

K4B4G1646E-BYK000

包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL

Samsung Semiconductor, Inc.

Samsung Semiconductor, Inc.

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SAMSUNG
2021+
BGA96
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原厂原装,欢迎咨询
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SAMSUNG/三星
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FBGA
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SAMSUNG/三星
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FBGA96
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SAMSUNG
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FBGA-96
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更多K4B4G164供应商 更新时间2025-11-11 14:00:00