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K4B4G0846B-MCH9	文件：1.0854 Mbytes Page：59 Pages	DDP 4Gb B-die DDR3 SDRAM Specification Key Features • JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply • VDDQ = 1.5V ± 0.075V • 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin, 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin • 8 Banks • Posted CAS • Programmable CAS Latency(posted CAS): 6, 7, 8, 9, 10 • Programmable Additive Latency: 0, 文件：1.0854 Mbytes 页数：59 Pages	Samsung 三星	Samsung
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更多K4B4G0846B-MCH9供应商更新时间2025-10-7 15:01:00