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K4B1G1646I-BYNB中文资料DDR3数据手册Samsung规格书

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厂商型号

K4B1G1646I-BYNB

功能描述

DDR3

制造商

Samsung Samsung semiconductor

中文名称

三星 三星半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-17 23:00:00

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K4B1G1646I-BYNB规格书详情

特性 Features

• High Speed and Performance
• Low Power, Efficient DRAM Solution

技术参数

  • 制造商编号

    :K4B1G1646I-BYNB

  • 生产厂家

    :Samsung

  • Org.

    :64M x 16

  • Speed

    :2133 Mbps

  • Voltage

    :1.35 V

  • Temp.

    :0 ~ 85 °C

  • Package

    :96FBGA

  • Product Status

    :Mass Production

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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