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K4B1G1646D-HCH9

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

The 1Gb DDR3 SDRAM D-die is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 1600Mb/sec/pin (DDR3-1600) for general applications.

文件:1.2053 Mbytes 页数:60 Pages

Samsung

三星

K4B1G1646G-BCH9

FBGA96

K4B1G1646I-BCNB

FBGA-96

SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4B1G1646I-BFMA

FBGA-96

SAMSUNG(三星半导体)

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SAMSUNG(三星半导体)

K4B1G1646I-BHMA

FBGA-96

SAMSUNG(三星半导体)

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SAMSUNG(三星半导体)

详细参数

  • 型号:

    K4B1G1646D-HCH9

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

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更多K4B1G1646D-HCH9供应商 更新时间2025-12-10 10:20:00