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K4082-S17-AY

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

文件:1.08673 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

K4A4G085WE-BCPB

SAMSUNG(三星半导体)
BGA-78

SAMSUNG(三星半导体)

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SAMSUNG(三星半导体)

K4A4G085WE-BCPB

SAMSUNG/三星
FBGA

SAMSUNG/三星

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SAMSUNG/三星

K4A4G085WE-BCRC

SAMSUNG(三星半导体)
BGA-78

SAMSUNG(三星半导体)

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SAMSUNG(三星半导体)

K4A4G085WE-BCRC

SAMSUNG/三星
BGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

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更多K4082-S17-AY供应商 更新时间2025-10-7 14:02:00