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K3P50D	文件：2.03255 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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FQP3P50	文件：787.78 Kbytes Page：8 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-2.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.9Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reli	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQP3P50	文件：640.4 Kbytes Page：8 Pages	500VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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