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K20H603	文件：2.19606 Mbytes Page：16 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode 文件：2.19606 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW20N60H3	文件：2.19606 Mbytes Page：16 Pages	丝印：K20H603；Package：PG-TO247-3；IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode 文件：2.19606 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
G20H603	文件：2.11172 Mbytes Page：14 Pages	High speed switching series third generation High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology Features: TRENCHSTOPTM technology offering • very low turn-off energy • low VCEsat • low EMI • maximum junction temperature 175°C • qualified according to JEDEC for target applications • Pb-free lead plating,halogen-free mould compound,RoH 文件：2.11172 Mbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
K2200SA	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMA	捷捷微上传：深圳广友电子有限公司	捷捷微
K2200SB	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMB	捷捷微上传：深圳广友电子有限公司	捷捷微

更多K20H603供应商更新时间2025-12-15 11:03:00