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K17A80W	文件：289.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.25Ω(typ.) •Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.85mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ITK17A80W	文件：289.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.25Ω(typ.) •Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.85mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK17A80W	文件：414.56 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.25Ω(typ.) byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.85mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK17A80W	文件：289.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.25Ω(typ.) •Enhancementmode:Vth=3.0to4.0V(VDS=10V,ID=0.85mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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