K10A60中文资料TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type / Switching Regulator Applications数据手册Toshiba规格书
K10A60规格书详情
描述 Description
• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.58 Ω(typ.)
• High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.)
• Low leakage current: IDSS= 10 μA(max)(VDS= 600 V)
• Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA(东芝) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO220F |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220F |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO220F |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
21+ |
TO-220F |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
TO-220F |
1944 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
TO220F |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
原装 |
1923+ |
TO-220F |
8900 |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2022+ |
150 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
