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JXP9N10SRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	STBCHIP 靖芯	STBCHIP
MTD9N10D	文件：113.31 Kbytes Page：12 Pages	POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTS 文件：113.31 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MTD9N10E	文件：257.779 Kbytes Page：10 Pages	TMOS POWER FET 9.0 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.25 OHM TMOS E-FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery t 文件：257.779 Kbytes 页数：10 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTD9N10E	文件：113.31 Kbytes Page：12 Pages	POWER MOSFET 9 AMPS, 100 VOLTS 文件：113.31 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多JXP9N10SRG供应商更新时间2025-11-3 15:08:00