JTDB25_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-美高森美

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厂家型号：
JTDB25
制造商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
55AW-1
包装：
散装
安装类型：
底座安装
更新时间：
2025-5-22 16:28:00

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原厂料号：JTDB25品牌：Microsemi Corporation

资料说明：RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

JTDB25是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商MICROSEMI/美高森美生产封装55AW-1的JTDB25晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
jtdb25
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美公司
资料说明：
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

产品属性

类型
描述
产品编号：
JTDB25
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
55V
频率 - 跃迁：
960MHz ~ 1.215GHz
增益：
7.5dB
功率 - 最大值：
97W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 500mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
5A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55AW-1
供应商器件封装：
55AW-1
描述：
RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

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