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JSW2-33DR-75+数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF

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厂商型号

JSW2-33DR-75+

参数属性

JSW2-33DR-75+ 封装/外壳为12-UFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 12QFN

功能描述

Reflective SPDT, SMT Solid State Switch, 5 - 3000 MHz, 75Ω
IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 12QFN

封装外壳

12-UFQFN 裸露焊盘

制造商

Mini-Circuits Mini-Circuits

数据手册

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更新时间

2025-8-10 15:08:00

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JSW2-33DR-75+规格书详情

描述 Description

·A broad selection of reliable, long-life models from DC to 18 GHz
·Semiconductor SMT and coaxial mechanical switches
·Extremely fast switching times ( < 10 nS)
·High isolation
·Long switch cycle life

特性 Features

·Single Positive Supply Voltage
·High Power P0.1dB greater than 3W
·Low Insertion Loss, 0.33 dB at 1 GHz

简介

JSW2-33DR-75+属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的JSW2-33DR-75+射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    JSW2-33DR-75+

  • 制造商:

    Mini-Circuits

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关

  • 包装:

    托盘

  • 射频类型:

    CATV, SatCom

  • 拓扑:

    反射

  • 电路:

    SPDT

  • 频率范围:

    5MHz ~ 3GHz

  • 隔离:

    31dB

  • 插损:

    0.53dB

  • 测试频率:

    3GHz

  • IIP3:

    63dBm

  • 阻抗:

    75 欧姆

  • 电压 - 供电:

    2.3V ~ 4.8V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    12-UFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    12-QFN(2x2)

  • 描述:

    IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 12QFN

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