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JSW2-33DR-75+数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF

厂商型号 |
JSW2-33DR-75+ |
参数属性 | JSW2-33DR-75+ 封装/外壳为12-UFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 12QFN |
功能描述 | Reflective SPDT, SMT Solid State Switch, 5 - 3000 MHz, 75Ω |
封装外壳 | 12-UFQFN 裸露焊盘 |
制造商 | Mini-Circuits Mini-Circuits |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-10 15:08:00 |
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JSW2-33DR-75+规格书详情
描述 Description
·A broad selection of reliable, long-life models from DC to 18 GHz
·Semiconductor SMT and coaxial mechanical switches
·Extremely fast switching times ( < 10 nS)
·High isolation
·Long switch cycle life
特性 Features
·Single Positive Supply Voltage
·High Power P0.1dB greater than 3W
·Low Insertion Loss, 0.33 dB at 1 GHz
简介
JSW2-33DR-75+属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的JSW2-33DR-75+射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。
技术参数
更多- 产品编号:
JSW2-33DR-75+
- 制造商:
Mini-Circuits
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装:
托盘
- 射频类型:
CATV, SatCom
- 拓扑:
反射
- 电路:
SPDT
- 频率范围:
5MHz ~ 3GHz
- 隔离:
31dB
- 插损:
0.53dB
- 测试频率:
3GHz
- IIP3:
63dBm
- 阻抗:
75 欧姆
- 电压 - 供电:
2.3V ~ 4.8V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:
12-UFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
12-QFN(2x2)
- 描述:
IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 12QFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MINI |
三年内 |
1983 |
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