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JMTQ60N04B	文件：722.46 Kbytes Page：7 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
MCU60N04	文件：383.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
ME60N04	文件：1.00003 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ME60N04T	文件：968.99 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
N60N04VDK	文件：272.04 Kbytes Page：8 Pages	40V??60A??N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP60N04HLF	文件：317.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP60N04HLF	文件：284.42 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP60N04HLFandNP60N04ILFareN-channel MOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrent switchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=30A) RDS(on)2=9.1mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NP60N04KUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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