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MEDDT1330	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	TechnicalreferenceACServoMotor&Driver	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
MFDDT1330	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	TechnicalreferenceACServoMotor&Driver	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
NTE1330	文件：21.88 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitModule-Hybrid,Dual,AudioPowerAmplifier,15W/Ch,2PowerSuppliesRequired IntegratedCircuitModule–Hybrid,Dual,AudioPowerAmplifier,15W/Ch,2PowerSuppliesRequired	NTE NTE Electronics	NTE
P1330	文件：32.07 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountPowerInductors	API API Delevan	API
P1330R	文件：1.24996 Mbytes Page：1 Pages	SurfaceMountPowerInductors	API API Delevan	API
S1330NH	文件：103.92 Kbytes Page：3 Pages	Multi-Conductor-DataBus짰ISA/SP-50FOUNDATIONFieldbusorPROFIBUSCable	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
SCH1330	文件：374.36 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerMOSFET20V,??.5A,241m,SingleSCH6 Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SCH1330	文件：291.85 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SCH1330	文件：279.61 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •1.8Vdrive. •Halogenfreecompliance.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SCH1330-TL-H	文件：374.36 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelPowerMOSFET20V,??.5A,241m,SingleSCH6 Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
JLT1330
功能描述：
环形MIL规格后盖
RoHS：
否
制造商：
Amphenol PCD MIL
类型：
MIL-DTL-38999 III, IV
系列：
AS85049
产品类型：
Environmental EMI/RFI Backshells
外壳类型：
Straight
外壳大小：
18
外壳材质：
Aluminum Alloy

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	JLT1557SJ	RCR	23+	SOT23-3	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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