Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier

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TI

德州仪器

LF411JAN Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier

文件：874.87 Kbytes 页数：16 Pages

TI

德州仪器

Schottky Barrier Diode

Features Small surface mounting type Low VF. (VF=0.43V Typ. at 0.5A) High reliability. Silicon epitaxial planar

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KEXIN

科信电子

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW PWER RECTIFICATION, FOR SWITCHING POWER SUPPLY)

LOW POWER RECTIFICATION FOR SWITCHING POWER SUPPLY. FEATURES • Small Surface Mounting Type. (USM) • Low Forward Voltage : VF max=0.5V • High Reliability CONSTRUCTION • Silicon epitaxial planar.

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KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

USM PACKAGE

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KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司