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JFE2140DR分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料

JFE2140DR
厂商型号

JFE2140DR

参数属性

JFE2140DR 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE

功能描述

JFE2140 Ultra-Low Noise, Matched, Dual, Low-Gate Current, Discrete, Audio, N?멌hannel JFET

丝印标识

JF2140

封装外壳

SOIC / 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

2.01952 Mbytes

页面数量

28

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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产品属性

  • 产品编号:

    JFE2140DR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - JFET

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    2 N-通道(双)

  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):

    13pF @ 5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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