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MDF9N50F	文件：945.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,8.0A,0.97ohm	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF9N50TH	文件：322.91 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDF9N50TH	文件：771.41 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET500V,9.0A,0.85(ohm) TheMDF9N50usesadvancedMagnaChip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowon-stateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality. MDF9N50issuitabledeviceforSMPS,highSpeedswitchingandgeneralpurposeapplications.	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
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