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MBR830	文件：234.78 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Thepl	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR830	文件：585.95 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦High	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR830	文件：428.68 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR830	文件：789.51 Kbytes Page：2 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR830	文件：112.18 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR830	文件：429.09 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierChip Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR830	文件：428.69 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR830	文件：789.57 Kbytes Page：2 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR830	文件：218.88 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR830	文件：141.68 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY

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详细参数

型号：
JCS830R
制造商：
JSMC
制造商全称：
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
功能描述：
N-CHANNEL MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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易创佳业科技（深圳）有限公司	JCS830R-O-R-N-B	J	23+	DPAK	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	JCS830R-O-R-N-B	SINO-MICRO	2022+	TO-252	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	JCS830S-O-S-N-B	SINO-MICRO	23+	TO-263	79999	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	JCS840C	VBSEMI/台湾微碧	24+	TO220	60000		询价
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