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MBR830	文件：789.57 Kbytes Page：2 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR830	文件：218.88 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR830	文件：141.68 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR830	文件：487.18 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR830	文件：443.78 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRecitifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR830	文件：1.11675 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-Semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR830	文件：1.41622 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR830	文件：1.40239 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR830	文件：166.26 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-free moldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C,0.25”(6.35mm)fromcasefor10seco	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
MBR830CT	文件：586.94 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100Volts ForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-free ●moldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurge	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA

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详细参数

型号：
JCS830C
制造商：
JSMC
制造商全称：
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
功能描述：
N-CHANNEL MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	JCS830C-O-C-N-B	SINO-MICRO	2022+	TO-220	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	JCS830C-O-C-N-B	SINO-MICRO	23+	TO-220	79999	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	JCS830C-O-C-N-B	J	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	JCS830C-O-C-N-B	SINO-MICRO	2022+	TO-220	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	JCS830C-O-C-N-B	SINO-MICRO	20+	TO-220	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	JCS830C-O-C-N-B	J	25+	TO-TO-220	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	JCS830F	VBSEMI/台湾微碧	24+	T0220F	60000	全新原装现货	询价

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